晶圓作為芯片的基材也就是基石，半點(diǎn)差錯(cuò)都有可能導(dǎo)致全盤皆輸。晶圓制備要經(jīng)過(guò)襯底制備和外延工藝兩大環(huán)節(jié)，其中的工藝標(biāo)準(zhǔn)都有所不同，在這里不進(jìn)行闡述。在經(jīng)過(guò)表面拋光后就需要進(jìn)行翹曲度檢測(cè)。晶圓片的翹曲度不均就會(huì)影響光刻膠各面積的受熱程度，終會(huì)導(dǎo)致晶圓CDuniformity均勻度不足。在晶圓經(jīng)過(guò)切片之后翹曲度精度達(dá)到了μm級(jí)，而且精度要求非常之高。加上不能接觸晶圓進(jìn)行拋光工序之后的表面，不然晶圓表面被劃傷質(zhì)量等級(jí)就會(huì)下降，這讓企業(yè)在測(cè)量晶圓翹曲度時(shí)非常頭痛，?？扑?/font>激光翹曲度測(cè)量?jī)x具有無(wú)損高精度測(cè)量的特點(diǎn)能解決晶圓翹曲度測(cè)量的難題。

?？扑?/font>多激光翹曲度測(cè)量?jī)x多個(gè)激光聯(lián)動(dòng)測(cè)量大幅度提升測(cè)量速度以及測(cè)量精度，整個(gè)晶圓測(cè)量過(guò)程不會(huì)觸碰到表面，保留完整的晶圓片表面形貌讓后續(xù)的芯片制作更加順利。高精度翹曲度測(cè)量?jī)x除了精度高之外，整個(gè)測(cè)量工序效率都非常高，只需要將晶圓放置在工作臺(tái)上按下開(kāi)始按鈕即可，測(cè)量完成后可以直觀的在屏幕上了解當(dāng)前晶圓的翹曲度、平面度、平整度的OK/NG信息，數(shù)據(jù)還可以導(dǎo)出到表格方便傳閱以及存檔對(duì)比，整個(gè)測(cè)量過(guò)程都是以秒為單位的速度，幫助晶圓、芯片制造企業(yè)把關(guān)基材的質(zhì)量。

?？扑?/span>激光平面度測(cè)量?jī)x可工件實(shí)際需求進(jìn)行配置以及尺寸的定制，如有需求歡迎致電?？扑?/span>測(cè)量全國(guó)服務(wù)熱線：