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AEC-Q200試驗條件

2025年03月19日 08:05:04      來源:廣東宏展科技有限公司 >> 進入該公司展臺      閱讀量:21

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AEC-Q200試驗條件

說明:AEC-Q200的環(huán)境試驗條件,主要是依據(jù)MIL-STD-202JEDEC22A-104規(guī)范來制定的,不同零件的試驗溫度除了不一樣之外,其施加電源(電壓、電流、負(fù)載)要求也會有所不同,高溫儲存屬于不施加偏壓與負(fù)載,但是在高溫工作壽命就需要,溫度循環(huán)與溫度沖擊,其試驗?zāi)康呐c手法不一樣,在溫度循環(huán)中高低溫變化需控制溫變率,溫沖擊則不用,偏高濕度就是俗稱的高溫高濕試驗,而濕度抵抗就是濕冷凍試驗

試驗條件注意事項:1000h試驗過程需在250h、500h進行間隔量測

高溫儲存(MIL-STD-202-108)[適用設(shè)備:高低溫試驗箱]
薄膜電容、網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻、熱敏電阻、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/1000h
電感、變壓器、電阻:125℃/1000h
變阻器:150℃/1000h
鉭電容、陶瓷電容、鋁電解電容:*大額定溫度
/1000h

高溫工作壽命(MIL-STD-202-108)[適用設(shè)備:高低溫試驗箱]
網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻:85℃/1000h
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/1000h/施加額定
IL
鉭電容、陶瓷電容:*大額定溫度/1000h/ (2/3)負(fù)載/額定電壓
鋁電解電容、電感、變壓器:105℃/1000h
薄膜電容:1000h/(85℃/125%額定電壓、105℃&125℃/99%額定電壓)
自恢復(fù)保險絲:125℃/1000h
電阻、熱敏電阻、可變電容:125℃/1000h/額定電壓
可變電阻:125℃/1000h/額定功率
變阻器:125℃/1000h/額定電壓85%+ma電流
陶瓷共鳴器:85℃
/1000h/額定VDD+1MΩ,并聯(lián)逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
石英震蕩器:125℃/1000h/額定VDD+1MΩ,并聯(lián)逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容

溫度循環(huán)(JEDEC22A-104)[適用設(shè)備:冷熱沖擊試驗箱、ESS快速溫度變化試驗箱]
薄膜電容、可變電容、可變電阻、陶瓷共鳴器、EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:-55℃(30min)←→85℃(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
鉭電容、陶瓷電容、電阻、熱敏電阻: -55℃(30min)←→125℃
(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
鋁電解電容:-40(30min)←→105(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles
電感、變壓器、變阻器、石英震蕩器、自恢復(fù)保險絲:-40(30min)←→125(30min)/RAMP(15℃/min)/1000cycles
網(wǎng)絡(luò)低通濾波器、網(wǎng)絡(luò)電阻:-55(30min)←→125(30min) /RAMP(15℃/min)/1000cycles

溫度沖擊(MIL-STD-202-107)[適用設(shè)備:溫度循環(huán)箱、冷熱沖擊試驗箱]
自恢復(fù)保險絲:
-40(15min)←→125(15min)/300cycles
偏高濕度(MIL-STD-202-103)[適用設(shè)備:高低溫濕熱試驗箱]
鉭電容、陶瓷電容:85℃/85%R.H./1000h/電壓1.3~
1.5V
電感&變壓器:85℃/85%R.H./1000h/不通電
鋁電解電容:85℃/85%R.H./1000h/額定電壓
EMI干擾抑制器、EMI干擾過濾器:85℃/85%R.H./1000h/額定電壓&電流
電阻、熱敏電阻:85℃/85%R.H./1000h/工作電源10%
自恢復(fù)保險絲:85℃/85%R.H./1000h/額定電流10%
可變電容、可變電阻:85℃/85%R.H./1000h/額定功率10%
網(wǎng)絡(luò)低通濾波器&網(wǎng)絡(luò)電阻:85℃/85%R.H./1000h/電壓[網(wǎng)絡(luò)電容(額定電壓)、網(wǎng)絡(luò)電阻(10%額定功率
)]
變阻器:85℃/85%R.H./1000h/額定電壓85%+ma電流
石英震蕩器、陶瓷共鳴器:85℃/85%R.H./1000h/額定VDD+1MΩ,并聯(lián)逆變器,在每個晶體腳和地之間有2X的晶體CL電容
薄膜電容:40℃/93%R.H./1000h/額定電壓


濕度抵抗(MIL-STD-202-106)[適用設(shè)備:高低溫濕熱試驗箱]
薄膜電容:(25℃←→65℃/90%R.H.*2cycle)/18h-10/3h,每一cycle24h,step7a&7b不通電

AEC-Q200專有名詞整理:

簡稱

中文

英文

說明

8D

解決問題方法

AEC

汽車電子設(shè)備協(xié)會

Automotive Electronic Council

由車廠[克賴斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽車(GM)]發(fā)起并創(chuàng)立于1994年,目前會員遍及各大汽車廠、汽車電子與半導(dǎo)體廠商。

AEC-Q001

零件平均測試指導(dǎo)原則

AEC-Q002

統(tǒng)計式良品率分析的指導(dǎo)原則

AEC-Q003

芯片產(chǎn)品的電性表現(xiàn)特性化的指導(dǎo)原則

AEC-Q005

無鉛測試要求

AEC-Q100

基于集成電路應(yīng)力測試認(rèn)證的失效機理

規(guī)范了零件供貨商所必須達(dá)成的產(chǎn)品質(zhì)量與可靠度,試驗條件多仍以JEDECMIL-STD為主,外加上其它獨立建置的測試手法。

AEC-Q100-001

邦線切應(yīng)力測試

AEC-Q100-002

人體模式靜電放電測試

AEC-Q100-003

機械模式靜電放電測試

AEC-Q100-004

集成電路閂鎖效應(yīng)測試

AEC-Q100-005

可寫可擦除的長久性記憶的耐久性、數(shù)據(jù)保持及工作壽命的測試

AEC-Q100-006

熱電效應(yīng)引起的寄生閘極漏電流測試

AEC-Q100-007

故障仿真和測試等級

AEC-Q100-008

早期壽命失效率(ELFR

AEC-Q100-009

電分配評估

AEC-Q100-010

錫球剪切測試

AEC-Q100-011

帶電器件模式的靜電放電測試

AEC-Q100-012

12V系統(tǒng)靈敏功率設(shè)備的短路可靠性描述

AEC-Q101

汽車級半導(dǎo)體分立器件應(yīng)力測試認(rèn)證

AEC-Q200

無源器件應(yīng)力測試標(biāo)準(zhǔn)

AEC-Q200-001

阻燃測試

AEC-Q200-002

人體模式靜電放電測試

AEC-Q200-003

橫梁負(fù)載、斷裂強度

AEC-Q200-004

自恢復(fù)保險絲測量程序

AEC-Q200-005

板彎曲度測試

AEC-Q200-006

表面貼裝后的剪切強度測試

AEC-Q200-007

電涌測試

汽車等級認(rèn)證

Automotive Grade Qualification

DWV

耐壓

DPM

百萬缺陷數(shù)

defect per million

半導(dǎo)體組件的缺陷率

EIA-469

破壞性的物理分析

EIA-198

陶瓷電介質(zhì)電容器

EIA-535

鉭電容

ESD

靜電放電

EWS

電性晶圓測試

Eletrical Wafer Sort

FIT

故障時間

HRCF

高可靠性認(rèn)證流程

High Reliability Certified Flow

IEC 10605

靜電放電人體模式

ISO-26262

車輛機能安全

ISO-7637-1

道路車輛電子干擾

JEDEC-STD-002

可焊性規(guī)格

JEDEC-STD-121

測量錫和錫合金表面涂層的錫須生長測試方法

JEDEC-STD-201

錫和錫合金表面涂層的錫須環(huán)境驗收要求

JEDEC22A-104

溫度循環(huán)

MIL-PRF-27

電感/變壓器的測試方法

MIL-STD-202

標(biāo)準(zhǔn)電子及電氣組件測試方法

NEMI

東京錫須會議

PPAT

參數(shù)零件平均測試

Parametric Part Average Testing

PPB

十億分之一

Parts Per Billion

篩選方法

Screening Method

SYA

統(tǒng)計性良率分析

Statistical yield analysis

應(yīng)力測試

Stress Test

UL-STD-94

塑料材料可燃性測試

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