EUPEC是歐洲電力半導體與電子公司(European Semiconductors and Electronics Company)
的英文縮寫。中文注冊名稱為:優(yōu)派克。EUPEC成立于1990年,由西門子和德國另一家大的電器公司
(AEG)生產(chǎn)電力半導體器件的兩個部門合并而成,實際上經(jīng)營電力半導體器件近五十年。1996年,
西門子半導體集團購買了AEG百分之五十的股份,從此EUPEC成為西門子半導體的99%子公司。
1999年,西門子半導體集團從西門子獨立出來,公開上市,形成Infineon(英飛凌)公司,
現(xiàn)在EUPEC是Infineon的99%子公司。專業(yè)生產(chǎn)IGBT模塊,晶閘管(Thyristor),整流二極管等
電力半導體器件。
EUPEC電力半導體器件廣泛地應用于從發(fā)電、輸電、配電到用電的各種電力電子設備中。
EUPEC產(chǎn)品從傳統(tǒng)的三大領域:電氣傳動、牽引、電力系統(tǒng),正朝家用電器,新能源,
汽車電子應用方向擴展;從主要提供電力半導體器件,向提供驅動電路,逆變器配件,
系統(tǒng)方案等方向發(fā)展。
1999年5月1日,西門子半導體公司正式更名為 Infineon,總部設在德國慕尼黑。1998年公司成為
半導體制造商之一,在亞、歐、美三大洲5個國 家擁有10個制造工廠,在九個國家設有16個
研發(fā)中心,1998年員工約25,000人,主要合作伙伴有 Motorola、IBM、MoselVitelic 等。據(jù)機
構07芯片生產(chǎn)排行,Infineon 公司排在 Intel、SAMSUNG、TI、ST 之后,為五大芯片生產(chǎn)商。
公司專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、移動性和安全性,為汽車、工業(yè)電子裝置、芯
片卡、安全產(chǎn)品和各種通信產(chǎn)品,提供半導體和系統(tǒng)解決方案。產(chǎn)品素以高可靠性、**品質和創(chuàng)
新性 著稱,并在模擬和混合信號、射頻功率器件,以及嵌入式控制裝置,擁有**的設計技術。
infineon(英飛凌)為原西門子六大集團之一的電子零件部,現(xiàn)獨立上市.為三大半導體廠商之一.
infineon的IGBT單管在中國的電磁爐應用占有80%的. EUPEC(優(yōu)派克)為infineon(英飛凌)全資
子公司,其生產(chǎn)的IGBT模塊的芯片均為infineon生產(chǎn).德國infineon公司生產(chǎn)的IGBT模塊品種繁多,滿足
客戶不同需求。為使客戶查詢方便,本手冊按電壓等級進行分類,共有600V/650V、1200V、1600V/1700V、
3300V、4500V/6500V五種電壓等級IGBT模塊。
西門子IGBT模塊歸入EUPEC后,EUPEC標準系列IGBT模塊仍沿用西門子型號編制系統(tǒng)。
IHM&IHV系列IGBT模塊有其自身的命名系統(tǒng),EUPEC以FF、FZ、FS、FP來命名。
BSM100GB120DN2K
BSM--------------帶反并聯(lián)續(xù)流二極管(F.W.D)的IGBT模塊
BYM--------------二極管模塊
100-----------Tc=80°C時的額定電流
GA-------- 一單元模塊
GB----------兩單元模塊(半橋模塊)
GD----------六單元模塊
GT----------三單元模塊
GP----------七單元模塊(功率集成模塊)
GAL----------斬波模塊(斬波二極管靠近集電極)
GAR----------斬波模塊(斬波二極管靠近發(fā)射極)
120-------額定電壓×10
DL------低飽和壓降
DN2----高頻型
DLC----帶(EmCon)二極管的低飽和壓降
FF400R12KE3
FZ------------ 一單元模塊
FF--------------兩單元模塊(半橋模塊)
FP--------------七單元模塊(功率集成模塊)
FD/DF------------斬波模塊
F4---------------四單元模塊
FS---------------六單元模塊
DD---------------二極管模塊
400-------------Tc=80°C時的額定電流
R------------逆導
S-------------快速二極管
12-----------額定電壓×100
KF---------高頻型(主要在大模塊上使用)
KL--------低飽和壓降(主要在大模塊上使用)
KS--------短拖尾高頻型
KE--------低飽和壓降型
KT--------低飽和壓降高頻型
T 930 N 18 T M C
T----------------------晶閘管
D----------------------二極管
930-----------------平均電流
0-----------------標準陶瓷圓盤封裝
1-----------------大功率圓盤
4-----------------厚19mm
6-----------------厚35mm
7-----------------厚08mm
8-----------------厚14mm
9-----------------厚26mm
3-----------------光觸發(fā)型
N-----------------相控器件
F---------------居中門極型快速晶閘管
S---------------門極分布式快速晶閘管 二極管
18 ----------耐壓×100
B--------引線型
C-----------------焊針型
E-----------------平板式
T-----------------圓盤式
M -------------關斷時間(A、B、C、D等表示關斷時間)
C ----關斷電壓斜率(B、C、F等)
TT 430 N 22 K O F
TT ----------------------雙晶閘管結構
DD----------------------雙二極管結構
TD/DT------------------- 一個二極管&一個晶閘管
430-------------------平均電流
N------------------相控器
F-------------------居中門極型快速晶閘管
S-------------------陰極交錯式快速晶閘管
22--------------耐壓×100
K-----------模塊
O---------關斷時間
F -----斷電壓斜率