IGBT是強電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進化。富士igbt功率模塊是功率電力電子器件按一定的功能組合再灌封成一個模塊。 igbt功率模塊是以IGBT為內(nèi)核的混合集成功率部件，由高速低功耗管芯（IGBT）和優(yōu)化的門極驅(qū)動電路，以及快速保護電路構(gòu)成。
絕緣柵雙極晶體管其基本包裝為三個端點的功率級半導體元件，其特點為高效率及切換速度快，為改善功率級BJT運作的工作狀況而誕生。
IGBT結(jié)合了場效晶體管柵極易驅(qū)動的特性與雙極性晶體管耐高電流與低導通電壓壓降特性，IGBT通常用于中高容量功率場合，如切換式電源供應(yīng)器、馬達控制與電磁爐。大型的IGBT模組應(yīng)用于數(shù)百安培與六千伏特的電力系統(tǒng)領(lǐng)域，其模組內(nèi)部包含數(shù)個單一IGBT元件與保護電路。
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