由于構(gòu)造較為簡(jiǎn)單僅需一個(gè)觸發(fā)電路就能進(jìn)行工作，雙向可控硅能夠作為較為理想的交流開關(guān)器件來使用，應(yīng)用范圍在近幾年來有逐漸增大的趨勢(shì)。本文將對(duì)確保閘流管和雙向可控硅順利上乘工作的十個(gè)條件進(jìn)行介紹，幫助大家完善設(shè)計(jì)。

準(zhǔn)則1

為了導(dǎo)通閘流管（或雙向可控硅），必須有門極電流≧IGT，直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL。這條件必須滿足，并按可能遇到的*低溫度考慮。

準(zhǔn)則2

要斷開（切換）閘流管（或雙向可控硅），負(fù)載電流必須間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的*高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。

準(zhǔn)則3

設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就要避開3+象限（WT2-，+）。

準(zhǔn)則4

為減少雜波吸收，門極連線長(zhǎng)度降至*低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H系列低靈敏度雙向可控硅。

規(guī)則5

若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。若高dICOM/dt可能引起問題，加入一幾mH的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com雙向可控硅。

準(zhǔn)則6

假如雙向可控硅的VDRM在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：

負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

準(zhǔn)則7

選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以*大限度提高雙向可控硅的dIT/dt承受能力。

準(zhǔn)則8

若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出，負(fù)載上*好串聯(lián)一個(gè)幾μH的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。

準(zhǔn)則9

器件固定到散熱器時(shí)，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

準(zhǔn)則10

為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證Rthj-a足夠低，維持Tj不高于Tjmax，其值相應(yīng)于可能的*高環(huán)境溫度。

本文羅列出了十條對(duì)于閘流管和雙向可控硅工作非常有益的建議。大家在使用閘流管或者雙向可控硅之前可以不妨花上幾分鐘來閱讀本文，相信會(huì)有意想不到的收獲，從而幫助大家的了解雙向可控硅并節(jié)約設(shè)計(jì)成本。