如風(fēng)歲月，硅是地球上儲(chǔ)藏的材料之一。硅的單體，具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。硅片是半導(dǎo)體器件、集成電路和太陽(yáng)能電池中使用泛的材料。
　　目前，硅片主流產(chǎn)品是200mm，逐漸向300mm過渡，研制水平達(dá)到400mm～450mm。據(jù)統(tǒng)計(jì)，200mm硅片的用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。Gartner發(fā)布的對(duì)硅片需求的5年預(yù)測(cè)表明，300mm硅片將從2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韓等國(guó)家都已經(jīng)在1999年開始逐步擴(kuò)大300mm硅片產(chǎn)量。據(jù)不統(tǒng)計(jì)，目前已建、在建和計(jì)劃建的300mm硅器件生產(chǎn)線約有40余條，主要分布在美國(guó)和我國(guó)中國(guó)臺(tái)灣等，僅我國(guó)中國(guó)臺(tái)灣就有20多條生產(chǎn)線，其次是日、韓、新加坡及歐洲。
　　硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場(chǎng)前景，價(jià)值也就越高。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)硅片質(zhì)量的要求也越來越高，特別是對(duì)硅拋光片表面質(zhì)量的要求越來越嚴(yán)。這主要是因?yàn)閽伖馄砻娴念w粒、金屬沾污、有機(jī)物沾污、自然氧化膜、微粗糙度等會(huì)嚴(yán)重影響器件的品質(zhì)和成品率。因此，硅片表面的清洗就成為了半導(dǎo)體材料及器件生產(chǎn)中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。
　　RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實(shí)驗(yàn)室的，并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為使用的濕式化學(xué)清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。
　?。?）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。
　　（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。
　?。?）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2)，呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕硅片表面的同時(shí)，H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。
　?。?）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。
　　由于RCA清洗法使用大量的化學(xué)試劑（NH4OH、HCl、H2O2、HF等），大量使用高純度化學(xué)試劑，將增加運(yùn)行成本，同時(shí)也將帶來對(duì)環(huán)境的污染。因此，摸索新的硅片清洗的工藝勢(shì)在必行。
　　艾森實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過多年的探索和研究，研發(fā)出ES-375硅晶片專用清洗劑。能夠克服RCA清洗的缺點(diǎn)，達(dá)到良好的清洗效果。
　　本產(chǎn)品具有以下優(yōu)點(diǎn)：1.清洗劑中加入了特選的滲透劑，能夠降低清洗劑的表面張力，增強(qiáng)清洗劑滲透性，對(duì)硅片有很好的清洗效果。2.清洗劑選用有機(jī)堿類，根據(jù)相似相容原理，能夠提高清洗劑對(duì)硅片有機(jī)物的清洗效果。3.清洗劑中的表面活性劑和滲透劑能夠很好的降低清洗劑的表面張力，同時(shí)具有水溶性好、滲透性強(qiáng)、無污染等優(yōu)點(diǎn)。4.清洗劑中的表面活性劑能夠增強(qiáng)質(zhì)量傳遞，保證清洗的均勻性，降低硅片的表面粗糙度。5.清洗劑中選用高效螯合劑，能夠和幾十種金屬離子形成穩(wěn)定的螯合物，能有效的去除硅片上的金屬離子。6.清洗劑中選用的化學(xué)試劑屬于非破壞臭氧層物質(zhì)，滿足環(huán)保要求。7.工藝流程簡(jiǎn)單，操作方便，是理想的清洗配套產(chǎn)品。
　　附錄：ES-375硅晶片清洗劑
　　1.產(chǎn)品簡(jiǎn)介
　　＆#61656;  本品是一種硅晶片（多晶、單晶）專用清洗劑，可有效清除線切割、研磨等加工后的污垢；是超聲波清洗的；
　　2.產(chǎn)品特性
　　2.1 濃縮型產(chǎn)品，低濃度稀釋使用，平均清洗成本低；
　　2.2 清洗能力強(qiáng)，通過螯合、絡(luò)合、剝離等物理和化學(xué)作用，使硅晶片表面的污物雜質(zhì)去除干凈；清洗效果好，清洗后硅晶片表面色澤一致，無花斑；
　　2.3 對(duì)硅晶片安全無腐蝕；易于漂洗；
　　2.4 性能穩(wěn)定，在正常貯存條件下，有效期內(nèi)質(zhì)量不會(huì)變化；運(yùn)輸、儲(chǔ)存安全方便。
　　3. 技術(shù)參數(shù)
　　外觀 黃色透明液體 可燃性 不燃 參考溫度 50～70℃
　　密度 1.06±0.15 g/ml PH值 12.5±0.5  參考用量
　　沸點(diǎn) 100℃  保質(zhì)期 2年  使用濃度 5～15%
　　氣味 無     執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)： Q/OCKX001-2007
　　4.用 途
　　適用于硅晶片（包括單晶硅、多晶硅）線切割、研磨等加工后的清洗。
　　5.使用方法
　　適用于刷洗、浸泡、超聲波等清洗方式，是進(jìn)口及國(guó)產(chǎn)清洗機(jī)理想的配套產(chǎn)品；
　　線切割后的硅晶片行清水噴淋以及熱水除膠等預(yù)處理；將預(yù)處理后的硅晶片放入清洗機(jī)中，首先是兩槽清水常溫鼓泡清洗，然后進(jìn)入二槽配有5%-15%的ES-375清洗劑的超聲波清洗機(jī)中，加溫至50～70℃，清洗3-10min，隨即采用二槽純水漂洗； 洗凈后的硅晶片按生產(chǎn)工藝要求實(shí)施離心烘干、檢驗(yàn)和包裝等后續(xù)工序；如果ES-375清洗液呈疲勞時(shí)，可適當(dāng)補(bǔ)充一定量的ES-375清洗劑；清洗劑槽建議配有過濾裝置以延長(zhǎng)槽液的使用壽命，減少顆粒污染，避免劃痕提高清洗效果；循環(huán)過濾裝置建議采用下進(jìn)水，避免液體運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生大量泡沫；用戶可根據(jù)硅晶片污物殘留量、污垢組成、清潔度要求、清洗方式、干燥方式等具體情況在線試驗(yàn)，以確定的工藝參數(shù)。
　　6.注意事項(xiàng)
　　6.1 避免清洗液長(zhǎng)時(shí)間直接接觸皮膚；如產(chǎn)品濺入眼睛，立即用大量清水沖洗，嚴(yán)重不適時(shí)求助醫(yī)生；
　　6.2少量泄漏可使用拖布水洗，大量泄漏時(shí)可使用沙土吸收。
　　7.包裝規(guī)格
　　25L/桶