IHS Markit研究指出，2017年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)到4291億美元，與2016年相較成長(zhǎng)了21.7%，年成長(zhǎng)率創(chuàng)下近14年新高。而三星也借著53.6%的年成長(zhǎng)率，取代蟬連25年的英特爾成為2017年大半導(dǎo)體廠商。

在前20大半導(dǎo)體廠商中，SK海力士(SK Hynix)的營(yíng)收成長(zhǎng)幅度，較2016年成長(zhǎng)81.2%；美光科技(Micron)居次，營(yíng)收較2016年成長(zhǎng)了79.7%。 對(duì)此，IHS Markit半導(dǎo)體供應(yīng)鏈分析師Teevens表示，強(qiáng)勁的需求以及價(jià)格上漲，是企業(yè)營(yíng)收大幅成長(zhǎng)的主因。

高通仍為大IC設(shè)計(jì)廠商，內(nèi)存則是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)展勁的類別，與2016年?duì)I收相比成長(zhǎng)了60.8%，其中DRAM成長(zhǎng)幅度，2017年成長(zhǎng)率達(dá)76%；NAND Flash居次，成長(zhǎng)率達(dá)46.6% ，創(chuàng)下這兩種IC內(nèi)存近10年以來(lái)的營(yíng)收成長(zhǎng)率。 而營(yíng)收增長(zhǎng)主要原因，來(lái)自供需緊張與價(jià)格的上漲。

IHS Markit內(nèi)存與儲(chǔ)存總監(jiān)Craig Stice表示，NAND內(nèi)存技術(shù)從2D NAND發(fā)展至3D NAND，使市場(chǎng)在2017年出現(xiàn)供需不平衡的狀況，也導(dǎo)致NAND內(nèi)存價(jià)格上漲。 不過(guò)進(jìn)入2018年，3D NAND已達(dá)到近四分之三的總生產(chǎn)比，預(yù)計(jì)能緩解SSD與移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)供需緊張的問(wèn)題，盡管價(jià)格可能會(huì)隨之大幅下降，2018年仍會(huì)是NADA營(yíng)收創(chuàng)紀(jì)錄的一年。

不包含內(nèi)存在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2017年成長(zhǎng)率為9.9%，主要由實(shí)體銷(xiāo)售成長(zhǎng)以及來(lái)自各地區(qū)、技術(shù)與應(yīng)用領(lǐng)域強(qiáng)勁的需求所驅(qū)動(dòng)。 另外值得注意的是，應(yīng)用于數(shù)據(jù)處理的半導(dǎo)體截至2017年年底成長(zhǎng)了33.4%，而Intel是這類半導(dǎo)體市場(chǎng)龍頭，銷(xiāo)量幾乎是居次的三星的兩倍。